하이닉스 청주 제3공장은 전체 10만8천697㎡(건축연면적 19만5천380㎡) 규모의 복층구조로 건립돼 향후 M12 생산라인을 구축할 수 있는 완벽한 환경을 조성한 데다 M11라인은 300mm 웨이퍼를 매월 4만장 생산할 수 있는 능력을 갖추고 있다.
이 공장은 지난해 4월 ‘제2의 창업’ 선언과 동시에 건설을 추진해 1년 4개월여 만에 완공해 이천의 M10 라인과 중국 장쑤(江蘇)성 우시(無錫)시의 HC2 라인에 이어 최고의 투자효율성을 자랑하는 300mm 라인이다.
현재 가장 문제점으로 지적되고 있는 새 주인 맞기와 반도체경기가 회복된다면 하이닉스는 이곳 제3공장의 300mm 생산능력을 월 20만장 이상까지 확장할 수 있어 메모리반도체 업계의 성장과 발전의 필수요건인 300mm 설비역량을 획기적으로 확충하게 된다.
하이닉스가 최소의 비용으로 최단기간 내 최첨단 시설을 갖춘 M11라인에 거는 기대는 지역사회 못지않다. 과거 수많은 난관을 모두 이겨낸 하이닉스가 이곳 청주 제3공장에서 제2의 신화를 준비하고있다.
#R&D투자로 미래 준비 = 김종갑 사장은 지난 8월 28일 열린 준공식에서 기념사를 통해 “청주 제3공장 준공을 기점으로 청주사업장을 세계 낸드플래시 생산 1번지로 육성할 예정”이라며 “반도체 경기의 회복이 다소 지연되고 있지만, 하이닉스는 기술 및 원가 경쟁력을 더욱 강화하는 한편, 업계 최고 수준의 R&D투자, 전략적 제휴 확대 및 상생의 협력 증진을 통해 미래 성장 동력을 지속적으로 확충해 나갈 것”이라고 강조했다.
하이닉스 차원에서도 국내 최첨단시설로 엄청난 투자를 감행한 제3공장에 높은 기대를 걸고 있음을 나타내는 대목이다.
그러나 반도체 경기가 바닥을 벗어나지 못하고 있는 현실을 감안해 단기적으로는 원가절감을 위한 과감한 결정과 수익성에 역점을 둬 경영을 해 나가다는 입장이다.
특히 막대한 비용이 일시에 투자되는 시설부분은 당분간 보류하고 미래를 준비하는 연구개발에 집중하고 있는 상태다.
실제로 하이닉스의 올해 상반기 연구개발비가 전체 매출의 11%에 이를 정도로 메모리 업계에서도 최고수준에 이르고 있다.
김 사장도 “앞으로도 인력양성과 연구개발력 제고에 매진하면서 결코 미래 준비를 소홀히 하지 않겠다”며 “국내외 회사들과의 전략적 제휴를 통해 기존의 D램 및 NAND FLASH사업을 강화하면서, CIS, 파운드리, 자동차용 반도체 등 미래성장 동력 확충을 위한 신규 사업도 추진해 나갈 것”이라고 설명했다.
또한 D램의 경우, 2분기부터 양산을 시작한 54나노의 생산 비중을 연말에는 전체 생산량의 30% 이상으로 끌어올려 원가경쟁력을 더욱 강화하고, NAND FLASH는 2분기부터 양산을 시작한 48나노 제품의 수율을 안정화 시킨다는 계획이다.
이와 함께 연말까지 41나노 제품을 개발해 경쟁사와의 기술격차를 해소할 예정이다.