이 제품은 동작시 오류 검출 및 정정 기능을 자체적으로 구현하면서도 업계 최고 수준인 최대 185MHz(메가헤르쯔)로 동작하며, 소비 전력을 절반 수준으로 줄인 것이 가장 큰 특징이다. 또 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 최대 초당 1.46GByte(기가바이트)의 데이터를 처리할 수 있다.
이번에 개발된 185MHz 512Mb(메가비트) 모바일 D램은 80나노 공정 기술을 이용, 휴대용 전자기기에 적합하도록 초소형으로 제작됐으며, 전력 소모를 줄이는 TCSR(온도에 따라 충전 속도 조절), PASR(대기시 데이터가 있는 부분만 충전), DPD(사용 중단시 D램 작동 차단) 등 전통적인 모바일 D램의 기능들도 포함돼 있다.
이와 함께 기존 모바일 D램에 비해 소비 전력을 대폭 줄인 반면 제품의 신뢰성은 크게 향상시켰고 동작 속도 또한 최고 수준이어서 모바일 D램 시장에서 차별화된 경쟁력을 가질 것으로 보인다.
하이닉스반도체는 이 제품의 양산을 올해 하반기에 시작하며, 낸드 플래시와 D램을 하나의 칩으로 만든 ‘낸드 멀티칩 패키지(MCP)’와 패키지 위에 패키지를 얹는 ‘패키지 온 패키지(PoP)’ 에도 사용해 제품군을 더욱 다양화 할 예정이다.
하이닉스반도체 모바일 사업담당 김용탁 상무는 “이번에 개발된 제품은 낸드 플래시의 ECC 개념을 모바일 D램에 도입해 소비 전력을 크게 줄다”며 “고용량 D램의 높은 소비 전력을 우려하는 휴대용 정보기기 개발 업체의 고민을 덜어 줄 수 있을 것”이라고 설명했다.
*모바일 D램이란?
주로 휴대폰에 탑재되는 메모리로, 휴대폰의 배터리 수명을 감안해 저전력으로 설계되는 것이 특징이다. 일반적으로 컴퓨터에 장착되는 메인 메모리 사용 전력에 비해 최소 1/100 수준으로 설계된다. 이 같은 특수 설계로 인해 메인 메모리에 비해 상대적으로 높은 가격에 판매된다.
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