한국교통대 전자공학과 조태영·류균석, SCI 논문 등재

한국교통대학교 융합기술대학 전자공학과 4학년 조태영, 류균석 학생

［충북일보］ 한국교통대학교 융합기술대학 전자공학과 4학년 조태영, 류균석 학생이 최근 SCI급 국제학술지 'Applied Sciences (IF=2.838)'에 각각 제1저자로 논문을 등재했다.

조태영 학생은 메모리 소자가 동작하면서 발생할 수 있는 현상 중 하나인 Natural Local Self Boosting (NLSB)를 시간에 따라 분석한 'Inhibited Channel Potential of 3D NAND Flash Memory String According to Transient Time'논문을 게재했다.

류균석 학생은 메모리 소자에 발생할 수 있는 현상 중 하나인 Down Coupling Phenomenon(DCP)로 인한 채널 전위 회복을 분석한 'Analysis of Channel Potential Recovery according to the Back Pattern in 3D NAND Flash Memory' 논문을 게재했다.

학생들은 학부연구생으로 메모리 소자의 동작 시 발생하는 현상을 반도체 소자 시뮬레이션을 통해 집중적으로 연구했다.

그 결과 각각 논문 주제를 설정해 학부생 신분으로 SCI급 국제학술지에 논문을 게재할 수 있었다.

조 학생은 "학부연구생이 돼 전에는 해보지 못했던 연구와 공부를 할 수 있었다"며 "저널에 논문을 게재한다는 좋은 기회를 얻어 학부생으로서 값진 경험을 한 것 같다"고 말했다.

류 학생은 "짧은 학부연구생 기간에 연구에 몰두해 학부생으로서 경험하기 어려운 일을 해냈다고 생각한다"며 "앞으로 석사 과정에서도 연구를 잘 할 수 있을 것이라는 자신감이 생겼다"고 전했다.

한편 이번 연구는 한국연구재단 차세대지능형반도체기술개발(소자)사업 지원으로 진행됐다.

충주 / 윤호노기자